GaN系レーザ素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055786
Publication number (International publication number)：2003258382
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】雑音が低減されたGaN系レーザ素子を提供する。【解決手段】発光層106を含むGaN系半導体積層構造を含むGaN系レーザ素子100において、その半導体積層構造にはストライプ状導波路を生じさせるリッジストライプ構造111が作り込まれているとともに、そのストライプ状導波路を幅方向に挟むように対向した2つの側面117、118が形成されており、それらの側面117、118の少なくとも一方の少なくとも一部はストライプ状導波路の幅方向におけるファブリペロー共振作用を抑制するように加工されている。

Claim (excerpt)：

発光層を含むGaN系半導体積層構造を含むGaN系レーザ素子であって、前記半導体積層構造には、ストライプ状導波路構造が作り込まれているとともに、前記ストライプ状導波路を幅方向に挟むように対向した2つの側面が形成されており、前記側面の少なくとも一方の少なくとも一部は前記ストライプ状導波路の幅方向におけるファブリペロー共振器としての作用を抑制するように加工されていることを特徴とするGaN系レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/323 610 , H01S 5/22

FI (2)：

H01S 5/323 610 , H01S 5/22

F-Term (12)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073DA22 , 5F073DA24 , 5F073DA35 , 5F073EA27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-367299 Applicant：三洋電機株式会社
窒化ガリウム系半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-147049 Applicant：住友電気工業株式会社
3-5族化合物半導体レーザーの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-073717 Applicant：住友化学工業株式会社

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