窒化ガリウム系半導体デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川瀬茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998147049
Publication number (International publication number)：1999340576
Application date： May. 28, 1998
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【目的】 GaN発光素子チップ(LD、LED)を基板の劈開面に沿って自然にスクライブすることができるようにすること。LDの場合は劈開面を共振器面とすること。【構成】基板としてGaN自立単結晶を用いる。GaN基板に発光素子のGaN系結晶を積層すると基板と同方位の薄膜結晶が成長する。基板を{1-100}面で劈開することによって発光素子チップ分離することができる。LEDの場合は、三角形、平行四辺形、菱型、六角形チップとなる。LDの場合は劈開面が共振器となる平行四辺形あるいは矩形チップとなる。

Claim (excerpt)：

(0001)面窒化ガリウム単結晶基板と、窒化ガリウム単結晶基板の表面に積層されたGaN系半導体エピタキシャル薄膜と、単結晶基板に付けた電極と、エピタキシャル薄膜に付けた電極とを含み、側面の少なくとも2面は劈開面であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体デバイス。

IPC (4)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 21/301 , H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01L 21/78 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-213676 Applicant：ローム株式会社
非方形電子チップの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-256749 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体発光素子、及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-235802 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page