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J-GLOBAL ID：200903013376752240

半導体装置の製造方法

Inventor：
隈川 隆博

About 隈川 隆博

, 
内海 勝喜

About 内海 勝喜

, 
松島 芳宏

About 松島 芳宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003350197
Publication number (International publication number)：2005116844
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 半導体基板表面に半導体基板と異なる材料からなる表層が形成されていても、表層の欠けや剥がれを抑えながら、チッピングを少なくする。【解決手段】 半導体基板1の半導体素子が形成された面のスクライブライン2上に、半導体素子が形成された面側から、第一のレーザ光8aをスクライブライン表面に集光しながら走査し、溝を形成する工程と、スクライブライン2に沿って、第二のレーザ光8bを半導体基板1の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域10を形成する工程とを含む。第一のレーザ光8aにより、スクライブライン2上に溝を形成することで、半導体基板1の表面状態に関わらず、表層の欠けや割れを抑え、第二のレーザ光8bで多光子吸収による改質領域10を形成した後の切断を容易にする。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された半導体素子をスクライブラインに沿って分割する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の半導体素子が形成された面の前記スクライブライン上に、前記半導体素子が形成された面側から、第一のレーザ光を前記スクライブライン表面に集光しながら走査し、溝を形成する工程と、前記スクライブラインに沿って、第二のレーザ光を前記半導体基板の内部に集光しながら走査し、多光子吸収による改質領域を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/301 ,  B23K26/00
FI (4)：
H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 320E ,  H01L21/78 B
F-Term (8)：
4E068AA05 ,  4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA08 ,  4E068CA09 ,  4E068CA11 ,  4E068CD02 ,  4E068DA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
  • 窒化物半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345937   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278768   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-277163   Applicant：浜松ホトニクス株式会社

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