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J-GLOBAL ID：200903013664820048

パワー半導体モジュール

Inventor： 池田 良成 ,  藤井 岳志 ,  吉原 克彦 ,  飯塚 祐二 ,  山下 満男
Applicant, Patent owner： 富士電機ホールディングス株式会社
Agent (1)： 服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003347356
Publication number (International publication number)：2005116702
Application date： Oct. 06, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：

【課題】 半導体素子の表面温度の低減、及びその面内温度分布の均一化を実現できるパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 本発明にかかるパワー半導体モジュールでは、高熱伝導体20により半導体素子13で発生した熱を一時的に保留し、半導体素子13の表面温度の上昇を抑制することができる。特に、高熱伝導体20の熱伝導率が半導体素子13の熱伝導率よりも大きいため、その発生熱を速やかに伝導させて温度抑制効果を発揮させることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板の表面に形成された回路パターンの所定位置に半導体素子をロー付接合して構成されるパワー半導体モジュールにおいて、 前記半導体素子の前記絶縁基板とは反対側に形成された表面電極に、前記半導体素子の熱伝導率以上の熱伝導率を有する高熱伝導体をロー付接合したことを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (2)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1)：

H01L25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• パワーモジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-240083   Applicant：株式会社豊田中央研究所

Cited by examiner (4)

• パワー半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-331655   Applicant：三菱電機株式会社
• パワー半導体モジュール及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-253902   Applicant：富士電機株式会社
• 半導体素子実装回路および半導体素子実装方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-033048   Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• パワー半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-110313   Applicant：三菱電機株式会社