シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193204
Publication number (International publication number)：1999021200
Application date： Jul. 02, 1997
Publication date： Jan. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】デバイス製造工程においてゲッタリングに必要な密度の酸素析出物が基板中に形成され、デバイス製造工程において酸素析出物によるスリップ転位を発生し難いエピタキシャルウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】比抵抗が10mΩcm以上で酸素濃度が12×1017atoms/cm3以上のシリコンウェーハに対して、開始温度が500°C〜600°C、終了温度が800°C〜900°Cで昇温レートが5°C/分以下のランピング熱処理を施した後、エピタキシャル成膜を行う。

Claim (excerpt)：

基板の比抵抗値が10mΩcm以上で、5×104個/cm2以上の酸素析出物を含有し、デバイス製造工程で1100°C以上の熱処理を加えた際に酸素析出物によるスリップの発生がないことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。

IPC (2)：

C30B 33/04 , H01L 21/322

FI (2)：

C30B 33/04 , H01L 21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭57-021825
特開平3-185831
気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-298188 Applicant：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所

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