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J-GLOBAL ID：200903014367388516

光子結晶発光素子及びその製造方法

Inventor： 李 東 律 ,  朴 成 柱 ,  クォン,ミンギ ,  金 孳 娟 ,  金 容 天 ,  呉 邦 元 ,  ファン,ソクミン ,  金 制 遠
Applicant, Patent owner： 三星電機株式会社
Agent (1)： 高村 順
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008196915
Publication number (International publication number)：2009033180
Application date： Jul. 30, 2008
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：

【課題】光取り出し効率が向上された光子結晶発光素子及びその光子結晶発光素子を製造する方法を提供すること。【解決手段】第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層とこれらの間に形成された活性層とを備える発光構造物と、上記第2半導体層上に形成され、上記活性層から放出された光に対して光子バンドギャップを形成することができる大きさと周期を有するように配列された複数のホールを備えることにより、光子結晶構造をなす透明電極層及び上記第1半導体層及び透明電極層に夫々電気的に連結された第1電極及び第2電極を含む光子結晶発光素子を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体層及び第2導電型の第2半導体層とこれらの間に形成された活性層とを備える発光構造物と、 前記第2半導体層上に形成され、前記活性層から放出された光に対して光子バンドギャップを形成することができる大きさと周期を有するように配列された複数のホールを備えることにより光子結晶構造をなす透明電極層と、 前記第1半導体層及び前記透明電極層に夫々電気的に連結された第1電極及び第2電極と、 を含むことを特徴とする光子結晶発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 E

F-Term (8)：

5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 上面発光型の発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-222138   Applicant：三星電子株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-065496   Applicant：松下電器産業株式会社
• GaN系発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-000726   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 窒化物半導体を用いた発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-295383   Applicant：三菱電線工業株式会社