上面発光型の発光素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006222138
Publication number (International publication number)：2007053383
Application date： Aug. 17, 2006
Publication date： Mar. 01, 2007
Summary：

【課題】上面発光型窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】前記上面発光型窒化物系発光素子は、基板、n型窒化物系クラッド層、窒化物系活性層、p型窒化物系クラッド層、及びp型多層オーミックコンタクト層が順次に積層されており、前記のp型多層オーミックコンタクト層は少なくとも一組のオーミック改質層/透明導電性薄膜層積層されてあり、特にオーミック改質層はアルミニウム(Al)、インジウム(In)、及びガリウム(Ga)のうちの少なくとも一つの成分と窒素(N)に結合している多結晶または非晶質の窒化物、または、窒素(N)成分が完全に排除されたアルミニウム(Al)、インジウム(In)、またはガリウム(Ga)のうちの少なくとも一つの成分のみで形成された小滴または薄膜形態で形成されている。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

n型窒化物系クラッド層と、 p型窒化物系クラッド層と、前記n型窒化物系クラッド層とp型窒化物系クラッド層との間に形成された窒化物系活性層と、前記p型窒化物系クラッド層の上部にオーミック改質層/電流拡散層で構成された薄膜層を少なくとも一度以上繰り返して/積層して形成させたp型多層オーミックコンタクト層とを具備し、前記オーミック改質層は多結晶または非晶質の微細結晶構造の窒化物系薄膜層であり、前記オーミック改質層は熱処理の際に、その上部に積層された電流拡散層との化学的反応を通じて新しい相が形成されることを特徴とする窒化物系上面発光型発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (7)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA21 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA65

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許6、287、947号公報

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-231044 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-343345 Applicant：松下電器産業株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-016826 Applicant：株式会社東芝

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