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J-GLOBAL ID：200903053363164880

GaN系発光ダイオード

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

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城市 隆秀

About 城市 隆秀

, 
高野 剛志

About 高野 剛志


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006000726
Publication number (International publication number)：2006237574
Application date： Jan. 05, 2006
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：
【課題】 発光効率の改善されたGaN系発光ダイオードを提供する。 【解決手段】 発光層3に積層して形成されたp型GaN系半導体層5と、その表面に形成されたp型オーミック電極P2と、p型オーミック電極P2に電気的に接続されたp側パッド電極P3と、を備えたGaN系発光ダイオードであって、p型オーミック電極P2は、発光層3で生じる光が通過し得る窓部を有するパターンに形成された部分と、開口部が設けられた部分と、からなり、p側パッド電極P3は、開口部の内側でp型GaN系半導体層5と接するとともに、その外周部がp型オーミック電極P2の上に重なるように形成され、それによって、p側パッド電極P3とp型オーミック電極P2とが重なった領域が、p側パッド電極P3の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域となっている。p側パッド電極P3からp型GaN系半導体層5には直接電流が流れないようにされている。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
GaN系半導体からなる発光層に積層して形成されたp型GaN系半導体層と、該p型GaN系半導体層の表面に形成されたp型オーミック電極と、該p型オーミック電極に電気的に接続されたp側パッド電極と、を備えたGaN系発光ダイオードであって、 前記p型オーミック電極は、前記発光層で生じる光が通過し得る窓部を有するパターンに形成された部分と、開口部が設けられた部分と、からなり、 前記p側パッド電極は、前記開口部の内側で前記p型GaN系半導体層と接するとともに、その外周部が前記p型オーミック電極の上に重なるように形成され、それによって、該p側パッド電極と該p型オーミック電極とが重なった領域が、該p側パッド電極の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域となっており、 前記p側パッド電極と前記p型GaN系半導体層との接触が非オーミック性とされるか、または、前記p側パッド電極が接する前記p型GaN系半導体層の表面が高抵抗化されることにより、前記p側パッド電極から前記p型GaN系半導体層に直接電流が流れないようにされている、GaN系発光ダイオード。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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