窒化物半導体を用いた発光ダイオード

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005295383
Publication number (International publication number)：2006135311
Application date： Oct. 07, 2005
Publication date： May. 25, 2006
Summary：

【課題】活性層で生じた光をより多く素子外に取り出すことができる構成を付与することによって、発光効率の優れた窒化物LEDを提供すること。【解決手段】基板101上に窒化物半導体層からなる積層体が形成された素子構造を有する発光ダイオードである。該積層体101には、基板側から、第1のn型窒化物半導体層102と、窒化物半導体からなる活性層103と、p型窒化物半導体層104と、第2のn型窒化物半導体層105とがこの順に含まれている。前記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面Sとされており、かつ、前記第2のn型窒化物半導体層105には、前記p型窒化物半導体層104へ正孔を注入するためのp側電極P102が形成されている。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

基板上に窒化物半導体層からなる積層体が形成され、該積層体には、基板側から、第1のn型窒化物半導体層と、窒化物半導体からなる活性層と、p型窒化物半導体層と、第2のn型窒化物半導体層とがこの順に含まれており、上記積層体の最上層の上面は一部または全部が凹凸面とされており、かつ、上記第2のn型窒化物半導体層には、上記p型窒化物半導体層へ正孔を注入するためのp側電極が形成されていることを特徴とする、発光ダイオード。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (2)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA83 , 5F041CA93 , 5F041CA99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-097154 Applicant：スタンレー電気株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社
精細パタ-ンが形成された反射接触部を備える発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-231279 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー

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Cited by examiner (11)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-343422 Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-120576 Applicant：シャープ株式会社
発光ダイオ-ド及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-373153 Applicant：信越半導体株式会社

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