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J-GLOBAL ID:200903014423486860
ガリウム含有窒化物の単結晶の製造法及び装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (3):
石井 久夫
, 竹内 三喜夫
, 田村 啓
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003503864
Publication number (International publication number):2004533391
Application date: May. 17, 2002
Publication date: Nov. 04, 2004
Summary:
本発明はガリウム含有窒化物結晶を製造するアンモノ塩基性方法を提供するものである。本発明では、ガリウム含有窒化物を超臨界窒素含有溶媒中にアルカリ金属含有成分の存在下に少なくとも1つの種結晶上に結晶させる。この方法により非常に高い品質を有するガリウム含有窒化物結晶の単結晶を提供することができる。
Claim (excerpt):
(i)ガリウム含有フィードストックと、アルカリ金属含有成分と、少なくとも1つのシードと、窒素含有溶媒とを少なくとも1つの容器に供給する工程と、
(ii)上記窒素含有溶媒を超臨界状態にする工程と、
(iii)上記ガリウム含有フィードストックの少なくとも一部を第1温度と第1圧力で溶解させる工程と、
(iv)上記窒素含有溶媒を超臨界状態にしたまま、第2温度と第2圧力にして上記シード上にガリウム含有窒化物を結晶化させる工程と、
を備えたガリウム含有窒化物結晶の形成方法であって、
(a)上記第2温度が上記第1温度よりも高い、又は(b)上記第2圧力が上記第1圧力よりも低い、条件の少なくとも一方を充たすことを特徴とするガリウム含有窒化物結晶の形成方法。
IPC (3):
C30B29/38
, C30B9/10
, H01L33/00
FI (3):
C30B29/38 D
, C30B9/10
, H01L33/00 C
F-Term (9):
4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EA03
, 4G077HA02
, 4G077KA09
, 5F041AA31
, 5F041AA43
, 5F041CA40
, 5F041CA65
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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