低抵抗GaN系緩衝層

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長門侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084613
Publication number (International publication number)：2001274376
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】低抵抗のGaN系緩衝層を提供する。【解決手段】この緩衝層2は、Gaを必須成分として含む窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも2層の薄層をヘテロ接合した層構造、例えばAlGaN 2A/GaN 2B/AlGaN 2Cになっていて、このヘテロ結合界面に形成される2次元電子ガス層を積極的に活用しているので低抵抗になっている。

Claim (excerpt)：

Gaを必須成分として含む窒化物系III-V族化合物半導体から成る少なくとも2層の薄層をヘテロ接合した層構造になっていることを特徴とする低抵抗GaN系緩衝層。

IPC (7)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , C30B 29/38 , H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 5/32

FI (5)：

C30B 29/38 D , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 5/32 , H01L 29/80 H

F-Term (39)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077BE42 , 4G077BE45 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF04 , 4G077HA06 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GK08 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103HH04 , 5F103JJ03 , 5F103KK01 , 5F103LL08 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025852 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
3族窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-214003 Applicant：豊田合成株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-005093 Applicant：松下電器産業株式会社

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