液晶表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996139458
Publication number (International publication number)：1997298304
Application date： May. 08, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】マスク工程を減らした、LDD構造を有する薄膜トランジスタの形成方法を提供することを概括的目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタのゲート電極を陽極酸化し、このようにして形成された陽極酸化膜をマスクとしてイオン注入を行い、また同一基板上にpチャネルトランジスタとnチャネルトランジスタが形成される場合、いずれのトランジスタの領域にも初めに第1の導電型の不純物を、前記陽極酸化膜をマスクとしてイオン注入し、次いで一方のトランジスタの領域をレジストでマスクして第2の導電型の不純物のイオン注入を実行する。

Claim (excerpt)：

陽極酸化可能な金属材料よりなるゲート電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体層上に形成されたゲート電極を陽極酸化して、ゲート電極側壁に陽極酸化膜を形成する工程と、前記ゲート電極が担持された前記半導体層中に、前記ゲート電極およびその側壁の陽極酸化膜をマスクとして、第1の導電型の不純物を導入して、前記陽極酸化膜の外側に第1の導電型の領域を形成する工程と、前記陽極酸化膜を除去した後、前記ゲート電極をマスクに、前記半導体層中に前記第1の導電型の不純物をさらに導入する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 613 A , G02F 1/1343 , G02F 1/136 500 , H01L 21/316 T , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-119961 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-186263 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
MOSトランジスタ作製方法およびその構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-356299 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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