半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997095978
Publication number (International publication number)：1998289946
Application date： Apr. 14, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】この発明は、埋め込み素子分離構造の半導体装置において高温加熱処理を行った時、埋め込み材の体積収縮によりトレンチ側面に隙間が生じていた。【解決手段】シリコン基板10にトレンチ15を形成し、このトレンチ15の内面に直接接触するようにTEOS酸化膜16を埋め込み、この埋め込んだTEOS酸化膜16の表面を平坦化し、この後、TEOS酸化膜16とトレンチ15の内側面を形成するシリコン基板10との界面に、水素燃焼酸化法により、TEOS酸化膜16とシリコン基板15とを密着させるシリコン酸化膜21を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板に素子領域を分離するための溝を形成する工程と、この溝の表面に直接接触するように第1の酸化膜を埋め込む工程と、この埋め込まれた第1の酸化膜の表面を平坦化する工程と、前記半導体基板を加熱し、前記溝の表面と前記第1の酸化膜との界面に第2の酸化膜を形成する工程と、前記半導体基板を加熱し、アニールする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 21/76 L , H01L 21/316 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭60-235436
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-215826 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-285441

Show all

Return to Previous Page