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J-GLOBAL ID：200903014938632533

化合物半導体薄膜結晶

Inventor：
小林 隆

About 小林 隆


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000326631
Publication number (International publication number)：2002134524
Application date： Oct. 26, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】【課題】 デバイス特性のばらつき、歩留まり低下の原因となるInGaP層のorder/disorder構造の影響を無視でき、常に一定のバンドギャップの値を有するInGaP層を化合物半導体薄膜結晶の構成要素とすること。【解決手段】 半絶縁性のGaAs基板101上に高濃度n型不純物であるシリコン(Si)を添加したn+GaAs結晶からなるサブコレクタ層102と低濃度n型不純物(Si)を添加したn-GaAs結晶からなるコレクタ層103と高濃度p型不純物カーボン(C)を添加したp+GaAs結晶からなるベース層104を成長させた後、Sbが5×1018atoms/cm3 濃度含み、かつ低濃度n型不純物(Si)を含んだSb添加InGaPからなるエミッタ層105と高濃度n型不純物(Si)を添加したn+GaAs結晶からなるエミッタキャップ層106からなる化合物半導体薄膜結晶である。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上に積層されたInGaP混晶を含む多層構造の化合物半導体薄膜結晶において、少なくとも一層以上の前記InGaP混晶層中に、原子濃度で1017atoms/cm3 以上の濃度範囲のアンチモン(Sb)が含まれていることを特徴とする化合物半導体薄膜結晶。
IPC (8)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (5)：
C30B 29/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 H
F-Term (35)：
4G077AA03 ,  4G077BE42 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  5F003AZ07 ,  5F003AZ09 ,  5F003BB04 ,  5F003BE01 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP23 ,  5F003BP32 ,  5F003BZ03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045BB04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA59 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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