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J-GLOBAL ID：200903014983854679

電解処理方法、電解液および半導体装置の製造方法

Inventor：
室山 雅和

About 室山 雅和


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998237310
Publication number (International publication number)：2000064083
Application date： Aug. 24, 1998
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 電解めっきなどの電解処理を行うときに電解液中に発生する気泡を低減し、良好な電解処理を行うことができる電解処理方法、電解液およびこの電解液による電解めっき法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 消泡剤として非イオン系界面活性剤を0.01〜5%添加した電解液を用いて電解めっきなどの電解処理を行う。非イオン系界面活性剤としては、アセチレンジオール系界面活性剤、エチレングリコール系界面活性剤、ポリエチレングリコール系界面活性剤などを用いる。銅を電解めっきする場合は、硫酸銅水溶液に消泡剤として非イオン系界面活性剤を添加した電解液を用いる。
Claim (excerpt)：
電解液を用いて被処理物の電解処理を行うようにした電解処理方法において、消泡剤として非イオン系界面活性剤が添加された電解液を用いるようにしたことを特徴とする電解処理方法。
IPC (4)：
C25D 3/02 ,  C25D 3/38 ,  C25F 3/04 ,  H01L 21/288
FI (4)：
C25D 3/02 ,  C25D 3/38 ,  C25F 3/04 A ,  H01L 21/288 E
F-Term (10)：
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023CB03 ,  4K023CB05 ,  4K023CB14 ,  4K023DA11 ,  4M104BB32 ,  4M104CC01 ,  4M104DD52 ,  4M104FF18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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