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J-GLOBAL ID:200903015004935589
半導体装置及び反射型液晶駆動半導体装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
高矢 諭 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997198063
Publication number (International publication number):1998163209
Application date: Jul. 24, 1997
Publication date: Jun. 19, 1998
Summary:
【要約】【課題】 半導体チップの表面に照射された光が、装置内部の下地トランジスタ部分に到達し、誤動作を引き起こすのを防ぐ。【解決手段】 最上層金属配線40、144を、ヴィアホール30を充填するタングステンWが堆積可能なチタンTi、及び、その上に形成したチタンナイトライドTiNで形成し、該ヴィアホール30をWで充填すると共に、1層下の金属配線44、140の表面を、TiNからなる低反射膜46で被う。
Claim (excerpt):
多層配線が行われる半導体装置において、該多層配線の少なくとも1層が、配線以外の領域にダミー配線の挿入が許される配線間スペースにはダミー配線が設けられており、最上層配線の少なくとも下面が、該最上層配線とその1層下の配線とを接続する最上ヴィアホールに堆積可能なメタルで形成され、該最上層配線の少なくとも上面が、最上ヴィアホールを充填するメタルが堆積可能なメタルで形成され、該最上ヴィアホールをメタルで充填したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 21/3205
, G09F 9/00 333
, H01L 21/82
FI (4):
H01L 21/88 S
, G09F 9/00 333 A
, H01L 21/82 W
, H01L 21/88 K
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-252783
Applicant:株式会社日立製作所, 日立プロセスコンピュータエンジニアリング株式会社
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特開平4-099030
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特開平3-064919
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固体撮像素子とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-184172
Applicant:キヤノン株式会社
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特開昭62-273512
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-269456
Applicant:シャープ株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-327112
Applicant:日本電気株式会社
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液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-289091
Applicant:ソニー株式会社
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反射型画像表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-188719
Applicant:日本ビクター株式会社
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