半導体素子の配線形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996119830
Publication number (International publication number)：1997306912
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】グレンサイズの増大化を図り、その金属の配向性も良くなり、エレクトロマイグレーションに強い配線を形成できる半導体素子の配線形成方法を提供する。【解決手段】半導体素子における配線形成方法において、IC基板11上に絶縁膜12を設け、この絶縁膜12上にバリア層13,Al合金層14を形成する際に、主となる配線層(Al合金層)14を厚く形成する工程と、熱処理を行い、前記主となる配線層14のグレインサイズを大きくする工程と、CMP法を用いて、所定の膜厚まで配線層14を研磨エッチングする工程と、ホトリソ、エッチングにより配線パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に絶縁膜を設け、該絶縁膜上に主となる配線層を厚く形成する工程と、(b)熱処理を行い、前記主となる配線層のグレインサイズを大きくする工程と、(c)CMP法を用いて、所定の膜厚まで前記配線層を研磨エッチングする工程と、(d)ホトリソ、エッチングにより配線パターンを形成することを特徴とする半導体素子の配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/88 B , H01L 21/28 301 R , H01L 21/304 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

配線構造及び配線構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-335067 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-354337
アルミニウム系配線の単結晶化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-213587 Applicant：ソニー株式会社

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