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J-GLOBAL ID：200903015133667272

III族窒化物系化合物半導体素子

Inventor： 上村 俊也 ,  平野 敦雄 ,  堀内 茂美
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000062223
Publication number (International publication number)：2001250985
Application date： Mar. 07, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【目的】 p台座電極に印加できる許容電流量を増大する。【構成】 透光性電極においてp型台座電極の周面と接する部分を厚肉部とすることにより当該周面と透光性電極との接合面積を増大させ、もってp型台座電極に印加できる許容電流を増大する。また、当該厚肉部を採用することより透光性電極と台座電極周面との間に亀裂が入ることを未然に防止する。

Claim (excerpt)：

p型台座電極の周面と接する部分が厚肉部にされている透光性電極を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43

FI (7)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/46 B ,  H01L 29/46 Z

F-Term (44)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104EE06 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104FF11 ,  4M104FF18 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH18 ,  5F041CA40 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA07 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC19 ,  5F045CA01 ,  5F045CA05 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045CB04 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-118315   Applicant：昭和電工株式会社
• 電極に銀を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-345585   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-047064   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-040209   Applicant：三洋電機株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いた発光素子並びにその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-038699   Applicant：三洋電機株式会社