発光半導体素子用透光性電極およびその作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118315
Publication number (International publication number)：1998308534
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、半導体表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Ni、Al、Tiからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する。

Claim (excerpt)：

半導体表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Au、Pt、Pd、Ni、Al、Tiからなる群より選ばれた、少なくとも1種類の金属あるいは2種類以上の金属の合金よりなる第1の層と、該第1の層上に形成された、Ni、Ti、Sn、Cr、Co、Zn、Cu、Mg、Inよりなる群より選ばれた少なくとも1種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第2の層とを有する発光半導体素子用透光性電極。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

p伝導形3族窒化物半導体の電極及び電極形成方法及び素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-160886 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092323 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-299072 Applicant：株式会社東芝

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