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J-GLOBAL ID：200903015201623319

半導体レーザ素子

Inventor：
畑 雅幸

About 畑 雅幸


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000075682
Publication number (International publication number)：2001267693
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】 しきい値電流の低減化が図られた半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層4c上に、障壁層4aおよび井戸層4bが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。発光層上には多重量子井戸障壁層5が形成されている。障壁層4a内で井戸層4bの[001]方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層4a内で井戸層4bの[00-1]方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。このように障壁層4a内にアクセプタ準位およびドナー準位が不均一に形成されているため、井戸層4b内に電位勾配が発生する。
Claim (excerpt)：
2つ以上の井戸層と、前記井戸層を挟むように配置された3つ以上の障壁層とから構成される量子井戸構造の発光層を備え、前記量子井戸構造の閉じ込め方向に電位勾配を発生または増大させるように前記障壁層中にアクセプタ準位およびドナー準位のうち少なくとも一方が不均一に形成されたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/347
FI (2)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/347
F-Term (14)：
5F073AA07 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CA22 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-140828   Applicant：株式会社日立製作所
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-391412   Applicant：三洋電機株式会社
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-082510   Applicant：三洋電機株式会社
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