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J-GLOBAL ID：200903015417643829

半導体素子の製造方法及びその装置

Inventor：
下西 弘二

About 下西 弘二

, 
湯浅 基和

About 湯浅 基和

, 
本間 孝治

About 本間 孝治


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社

, 
株式会社ケミトロニクス

About 株式会社ケミトロニクス


Agent (1)： 河備 健二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000348741
Publication number (International publication number)：2002151420
Application date： Nov. 15, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子の製造工程におけるポリ-Si膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なプラズマを継続して発生させ、基材を該プラズマで処理して、基材上に良質のポリ-Si膜を製造する方法及びその装置の提供。【解決手段】 プラズマCVD法を用いる半導体素子におけるポリ-Si膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気中で行うことを特徴とする半導体素子の製造方法及び装置。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法を用いる半導体素子におけるポリシリコン膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマを基材に接触させ、かつ、該プラズマと基材との接触部近傍が窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノンからなる群から選ばれるいずれか一種以上の雰囲気に保たれていることを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/509
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/509
F-Term (52)：
4K030AA06 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045DP22 ,  5F045DP23 ,  5F045EE14 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19 ,  5F045EN04 ,  5F045HA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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