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J-GLOBAL ID：200903015473249696

半導体装置

Inventor：
水上 誠

About 水上 誠

, 
四戸 孝

About 四戸 孝


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004344338
Publication number (International publication number)：2006156658
Application date： Nov. 29, 2004
Publication date： Jun. 15, 2006
Summary：
【課題】基板強度を保持しつつオン抵抗を低減し得る半導体装置を提供する。【解決手段】網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第1の不純物濃度を有する半導体からなる支持体21と、前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する半導体層3と、前記半導体層3に形成された半導体素子とを具備することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
網目状の凸部により形成された複数の凹部を裏面に有し、第1の不純物濃度を有する半導体からなる支持体と、 前記支持体の前記裏面に対向する表面に形成され、前記第1の不純物濃度よりも低い第2の不純物濃度を有する半導体層と、 前記半導体層に形成された半導体素子と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (16)：
H01L 29/41 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/80 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 21/336
FI (17)：
H01L29/44 L ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655C ,  H01L29/80 V ,  H01L29/80 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 C ,  H01L29/80 H ,  H01L29/48 D ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658G ,  H01L29/78 658E
F-Term (40)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD24 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG11 ,  4M104GG18 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FB01 ,  5F102GB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC02 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GL02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR11 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-260093   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-108757   Applicant：松下電器産業株式会社
Cited by examiner (4)
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