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J-GLOBAL ID：200903015675936547

高電子移動度トランジスタ

Inventor：
中井 昭暢

About 中井 昭暢

, 
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003375190
Publication number (International publication number)：2005142250
Application date： Nov. 05, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、電子走行層を走行する電子の移動度の低下を防ぎ、ノーマリーオフの動作と高速動作が可能な高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層3は、少なくともp型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層4と前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、前記電子走行層は、少なくともp型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層及び前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層を含み、前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層よりもバンドギャップエネルギーの小さい窒化物系化合物半導体からなる層は、前記電子供給層と前記p型不純物がドーピングされた窒化物系化合物半導体からなる層により挟まれていることを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (16)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (3)

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