金属アルコキシド溶液、それを用いた半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005222245
Publication number (International publication number)：2007042689
Application date： Jul. 29, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】良好な電気的性能を有する半導体デバイスを効率よく製造する。【解決手段】下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液を用いて半導体デバイスを作製する。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II](式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数が1〜20の置換、又は無置換のアルキル基を表す。)【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記一般式I及び一般式IIで表される金属アルコキシド化合物(一般式I及び一般式IIで表される化合物はその一部が連結して複合アルコキシドを形成していてもよい)を含有し、1〜100mPa・sの粘度を有する金属アルコキシド溶液。 Zn(OR1)2 ・・・[I] M(OR2)3 ・・・[II] (式中、Mはアルミニウム、鉄、インジウム及びガリウムの中の少なくとも一つの元素であり、比率Zn/Mが0.2〜10の範囲である。R1及びR2はそれぞれ同一でも異なってもよく、炭素数が1〜20の置換又は無置換のアルキル基を表す。)

IPC (4)：

H01L 21/368 , H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (5)：

H01L21/368 Z , H01L21/20 , H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617V

F-Term (74)：

4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB91 , 4H006BE61 , 4H048AA01 , 4H048AA03 , 4H048AB91 , 4H048VA66 , 4H048VB30 , 5F053AA03 , 5F053AA50 , 5F053BB58 , 5F053DD20 , 5F053GG03 , 5F053GG10 , 5F053HH10 , 5F053LL01 , 5F053LL10 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110QQ06 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC09 , 5F152CD02 , 5F152CD10 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD16 , 5F152CE01 , 5F152CE08 , 5F152CE09 , 5F152CE18 , 5F152CE28 , 5F152CE44 , 5F152FF03 , 5F152FF22 , 5F152FG01 , 5F152FG03 , 5F152FG08 , 5F152FG18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路、アクティブマトリクス型表示装置、電気光学装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-019126 Applicant：セイコーエプソン株式会社
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
酸化物薄膜の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320283 Applicant：ダイセル化学工業株式会社

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Cited by examiner (4)

ディスプレイパネルおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-259375 Applicant：コニカ株式会社
アクティブ駆動型有機EL表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-061505 Applicant：出光興産株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道

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