ディスプレイパネルおよびその製造方法 | Patent Information

【要約】【課題】製造コストの低減、製造プロセスの簡略化を実現するための新たな構造のディスプレイパネル、およびその製造方法を提供する。【解決手段】【請求項 1】各画素単位で表示材料を駆動するための駆動素子を有するディスプレイパネルにおいて、絶縁性支持体、支持体上に配置され、電荷を供給するためのソースライン、支持体上に配置され、表示材料に対向する平板電極、支持体上で前記ソースラインと前記平板電極を連結する有機半導体材料からなる有機半導体部、前記有機半導体部に交わるように配置されたゲートライン、を各画素単位に有することを特徴とするディスプレイパネル。

【請求項 1】各画素単位で表示材料を駆動するための駆動素子を有するディスプレイパネルにおいて、絶縁性支持体、支持体上に配置され、電荷を供給するためのソースライン、支持体上に配置され、表示材料に対向する平板電極、支持体上で前記ソースラインと前記平板電極を連結する有機半導体材料からなる有機半導体部、および前記有機半導体部に交差するように配置されたゲートライン、を各画素単位に有することを特徴とするディスプレイパネル。【請求項 2】前記第1の支持体はフレキシブルな絶縁性シートであることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 3】前記有機半導体部は前記ソースラインおよび前記平板電極の一部を連続的に覆うように配置されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 4】前記有機半導体部は単一の有機半導体材料のみで前記平板電極の一部と前記ソースラインを連続的に連結することを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 5】前記有機半導体部は前記ゲートラインへの電圧の印加により、導電性が低下する有機半導体材料により形成されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 6】前記有機半導体部はπ共役系高分子により形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 7】前記有機半導体部はドープされたπ共役系高分子により形成されることを特徴とする請求項6記載のディスプレイパネル。【請求項 8】前記有機半導体部は導電率が10-2 s/cm以上であることを特徴とする請求項6から7のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 9】前記有機半導体部はPEDOTおよびPSSからなる錯体により形成されることを特徴とする請求項6から8のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 10】前記ゲートラインは導電性材料により形成されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 11】前記ゲートラインは前記有機半導体部と同じ材料により形成されることを特徴とする請求項10記載のディスプレイパネル。【請求項 12】前記ゲートラインは導電性塗布物により形成されることを特徴とする請求項10から11のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 13】前記第1の支持体は樹脂製シートであることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 14】さらに前記有機半導体部および前記ソースラインと前記ゲートラインの交わる部分に配置された絶縁膜を有し、前記ゲートラインは前記絶縁膜上に配置されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 15】前記絶縁膜はSiO2またはTiO2により形成されることを特徴とする請求項14記載のディスプレイパネル。【請求項 16】前記絶縁膜は光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂により形成されることを特徴とする請求項14から15のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 17】前記絶縁膜はアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルランの少なくとも一つにより形成されることを特徴とする請求項14から16のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 18】各画素に対して前記絶縁膜が前記第1の支持体上に複数配置されていることを特徴とする請求項14から17のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 19】前記絶縁膜は前記第1の支持体上で全面を被覆するように配置されていることを特徴とする請求項14から18のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 20】前記ゲートラインは前記ソースラインに対して、前記第1の支持体の反対面に配置されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 21】前記第1の支持体はその両面が絶縁性材料で構成されることを特徴とする請求項20記載のディスプレイパネル。【請求項 22】前記有機半導体部は前記ゲートラインへの電圧の印加により、前記ソースラインからの電荷の供給を遮断することを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 23】前記ゲートラインはパネル上に前記ソースラインと交差する方向に複数配置されるとともに、分岐することなく前記有機半導体部と交差することを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 24】前記各ソースラインは前記ディスプレイパネル上で互いに平行に配置されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 25】さらに前記第1の支持体上に前記表示材料を介して導電性を有する第2の支持体が配置されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 26】前記第2の支持体は少なくとも前記第1の支持体上の前記複数の平板電極に対向する位置に透明導電膜が形成された支持体であることを特徴とする請求項25記載のディスプレイパネル。【請求項 27】前記表示材料は液晶材料、電気泳動素子、有機EL材料の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 28】前記ゲートラインへの電圧の印加は前記ソースラインによる電荷の供給前であって、各画素の駆動タイミングにおいて前記ゲートラインへの電圧の印加が遮断されることを特徴とする請求項1記載のディスプレイパネル。【請求項 29】前記ソースラインへの電荷の供給は各画素の駆動タイミングより前であることを特徴とする請求項28記載のディスプレイパネル。【請求項 30】さらに前記平板電極を含むキャパシタ構造を有することを特徴とすることを特徴とする請求項28から29のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 31】前記ゲートラインへの電圧の印加の遮断により、前記キャパシタ構造への電荷の蓄積が開始され、前記キャパシタ構造への所定の容量の蓄積後に前記ゲートラインへの電圧の印加を再開し、前記キャパシタ構造における電荷を保持することを特徴とする請求項30記載のディスプレイパネル。【請求項 32】前記平板電極の電荷を消去するタイミングにおいて再度前記ゲートラインへの電圧の印加の遮断が実行されることを特徴とする請求項31記載のディスプレイパネル。【請求項 33】前記第1の支持体において、前記平板電極が形成された面と反対側の面は導電膜で形成されており、該導電膜と前記各平板電極により前記キャパシタ構造を形成することを特徴とする請求項30から31のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 34】前記第1の支持体の前記導電膜は接地されていることを特徴とする請求項33記載のディスプレイパネル。【請求項 35】前記平板電極上には絶縁膜が配置され、該絶縁膜を介して接地されたアースラインが配置され、該アースラインおよび各平板電極により前記キャパシタ構造が形成されることを特徴とする請求項30、31および33のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 36】前記表示材料はメモリ特性を有する素材により構成され、画素の非駆動時は前記ソースラインに供給されるソース電圧の極性を予め駆動時と逆の極性とし、かつ前記ゲートラインへの電圧の印加を再度遮断することにより前記表示材料の特性を変化させることを特徴とする請求項30、31、33および35のいずれか1項に記載のディスプレイパネル。【請求項 37】各画素単位で表示材料を駆動するための駆動素子を有するディスプレイパネルの製造方法において、電荷を供給するための複数のソースラインおよび複数の平板電極を第1の支持体上に導電性材料により形成する第1ステップ、有機半導体材料を前記ソースラインと前記平板電極の各々を連結するように配置することにより、複数の連続的な有機半導体部を形成する第2ステップ、および前記有機半導体部に対向する位置に導電性材料によりゲートラインを形成する第3ステップ、を実行することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。【請求項 38】前記第1の支持体はフレキシブルな絶縁性シートであることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 39】前記第2ステップにおいて、前記有機半導体材料は前記ソースラインおよび前記平板電極の一部を連続的に覆うように配置されることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 40】前記有機半導体材料は単一の有機半導体材料のみで前記平板電極の一部と前記ソースラインを連続的に連結することを特徴とする請求項39記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 41】前記有機半導体部は前記ゲートラインへの電圧の印加により、導電性が低下する有機半導体材料により形成されることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 42】前記有機半導体部はπ共役系高分子により形成されることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 43】前記有機半導体部はドープされたπ共役系高分子により形成されることを特徴とする請求項42記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 44】前記有機半導体部は導電率が10-2s/cm以上であることを特徴とする請求項42から43のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 45】前記有機半導体部はPEDOTおよびPSSからなる錯体により形成されることを特徴とする請求項42から44のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 46】前記第3のステップは前記複数のゲートラインが予め形成された第9の支持体を前記第1の支持体上に貼り合わせるステップであることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 47】前記第3のステップにおいて、前記第9の支持体は前記ゲートラインが形成された側が前記第1の支持体に対向させて貼り合わされることを特徴とする請求項46記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 48】前記第3のステップにおいて、前記第1の支持体上の前記有機半導体部は前記第9の支持体上のゲートラインに絶縁性接着材を介して張り合わされることを特徴とする請求項47記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 49】前記第3のステップにおいて、前記第9の支持体は前記ゲートラインが形成された表面と反対側の面が前記第1の支持体に対向して貼り合わされることを特徴とする請求項46、47のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 50】前記第3のステップにおいて、前記第9の支持体の厚さは前記有機半導体部を制御可能な範囲内の厚さの絶縁性フィルムであることを特徴とする請求項49記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 51】前記複数のゲートラインの前記第9の支持体上への形成は前記第1または第2のステップと平行して行われることを特徴とする請求項46、47、49のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 52】前記第9の支持体の上に所定の間隙を以って、導電性を有する第2の支持体を配置する第5のステップ、および前記第9の支持体と前記第2の支持体の間に前記表示材料を充填し、封止する第6のステップを前記第3のステップ後に実行することを特徴とする請求項46、47,49,51のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 53】前記第2の支持体は少なくとも前記第1の支持体上の前記複数の平板電極に対向する位置に導電膜が形成された支持体であることを特徴とする請求項52記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 54】前記第1の支持体に対し、前記第9の支持体と反対側の面上に導電性を有する第2の支持体を、所定の間隙を以って配置する第7のステップ、および前記第1の支持体と前記第2の支持体の間に前記表示材料を充填し、封止する第6のステップを前記第3のステップ後に実行することを特徴とする請求項46、47,49,51,52のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 55】前記第2の支持体は少なくとも前記第1の支持体上の前記複数の平板電極に対向する位置に導電膜が形成された支持体であることを特徴とする請求項54記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 56】前記有機半導体部および前記ソースラインと前記ゲートラインの交わる部分に対して、絶縁膜で被覆する第4のステップを前記第2ステップ後であって、前記第3のステップの前に実行することを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 57】前記第4のステップでは前記第1の支持体の全面を被覆することにより前記絶縁膜を形成することを特徴とする請求項56記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 58】前記絶縁膜はSiO2膜またはTiO2膜であることを特徴とする請求項57記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 59】前記絶縁膜は塗布および硬化することにより形成されることを特徴とする請求項57から58のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 60】前記絶縁膜は大気圧下におけるプラズマ処理によって形成されることを特徴とする請求項57から59のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 61】前記第4のステップでは各画素に対して前記絶縁膜を個別に形成することを特徴とする請求項56、57のいずれか1項に記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 62】前記絶縁膜はインクジェットによる被覆によって形成されることを特徴とする請求項61記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 63】前記第3ステップにおいて、前記ゲートラインは前記ソースラインまたは前記有機半導体部に対して、前記第1の支持体の反対面に形成されることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。【請求項 64】前記第2ステップにおいて、前記有機半導体部は膜状に形成されることを特徴とする請求項37記載のディスプレイパネルの製造方法。

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G02F 1/1368 , G09F 9/35 , G09F 9/37 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/00 , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/14 , H05B 33/22

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G02F 1/1368 , G09F 9/35 , G09F 9/37 Z , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H05B 33/22 Z , H01L 29/28 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 617 T

2H092JA24 , 2H092JB42 , 2H092JB61 , 2H092KA09 , 2H092KB04 , 2H092KB14 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA31 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 3K007AB05 , 3K007AB18 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 3K007GA00 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA76 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094FB01 , 5C094FB14 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110EE37 , 5F110EE41 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG41 , 5F110HK33 , 5F110HM19 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ16

Cited by examiner (11)

特開昭62-085224
有機電界効果型素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-205286 Applicant：株式会社東芝
特開平4-069971

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