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J-GLOBAL ID：200903015763326082

有機太陽電池

Inventor： 志賀 亨 ,  元廣 友美
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (3)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005375651
Publication number (International publication number)：2007180190
Application date： Dec. 27, 2005
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：

【課題】 光電変換効率を十分に向上できる有機太陽電池を提供すること。【解決手段】 本発明は、電子供与性を有するp型共役高分子及び電子受容性を有するn型半導体を混合してなるヘテロ接合層3と、へテロ接合層3の一面側に設けられる第1電極2と、へテロ接合層3の他面側に設けられる第2電極4とを有し、へテロ接合層3が有機金属錯体を含み、有機金属錯体のLUMOのレベルが、p型共役高分子の伝導帯の最低エネルギー準位とn型半導体の伝導帯の最低エネルギー準位との間にあり、有機金属錯体のHOMOのレベルが、p型共役高分子の価電子帯の最高エネルギー準位とn型半導体の価電子帯の最高エネルギー準位との間にあることを特徴とする有機太陽電池である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電子供与性を有するp型共役高分子及び電子受容性を有するn型半導体を混合してなるヘテロ接合層と、 前記へテロ接合層の一面側に設けられる第1電極と、 前記へテロ接合層の他面側に設けられる第2電極と、 を有し、前記へテロ接合層が有機金属錯体を含み、 前記有機金属錯体の最低空軌道のレベルが、p型共役高分子の伝導帯の最低エネルギー準位とn型半導体の伝導帯の最低エネルギー準位との間にあり、 前記有機金属錯体の最高被占軌道のレベルが、p型共役高分子の価電子帯の最高エネルギー準位とn型半導体の価電子帯の最高エネルギー準位との間にあること、 を特徴とする有機太陽電池。

IPC (1)：

H01L 51/42

FI (1)：

H01L31/04 D

F-Term (3)：

5F051AA11 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5331183号明細書
  
• 導電性重合体及びその製造方法並びにそれを用いた有機太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-055245   Applicant：日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 株式会社日立製作所, 三菱化学株式会社, ローム株式会社

Cited by examiner (4)

• 光電変換材料および光電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-029524   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-036815   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• ホール伝導性を有する超分岐高分子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-146436   Applicant：三菱化学株式会社
• 特表平7-500630