プラズマ処理方法及びプラズマ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河野登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286843
Publication number (International publication number)：1996148436
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】試料に付着するパーティクル数を大幅に削減することが可能なプラズマ処理方法及びその実施に使用するプラズマ装置を提供すること。【構成】プラズマ照射をオフする直前に、移動装置13を駆動させて円板15を試料台5の上方へ移動させてからガス管7からの反応ガスの供給をオフする。また反応ガスの供給をオフしたとき、ガス管14からの不活性ガスの導入を開始する。そして処理が終了した試料Sを搬入,搬出口9から搬出し、次の試料Sを搬入,搬出口9から反応室3内へ搬入して試料台5上に載置する。その後、ガス管14からの不活性ガスの導入を停止し、ガス管7からの反応ガスの供給を再開してプラズマ照射を再開する。プラズマが安定した後、移動装置13を駆動させて円板15を試料台5の上方から待機位置へ移動させて試料Sの処理を再開する。

Claim (excerpt)：

反応ガス及びマイクロ波を導入してプラズマを生成し、該プラズマを反応室へ導入し、複数の試料を反応室内の試料台上に逐次載置して試料をプラズマ処理する方法において、1回のプラズマ処理が終了してプラズマ生成を停止する前に石英ガラス板にて試料台を覆い、反応ガスの供給を停止し、不活性ガスの供給を開始し、処理が終了した試料を反応室から搬出し、次回の試料を反応室へ搬入して試料台上に載置し、不活性ガスの供給を停止し、反応ガスの供給を再開し、プラズマ生成を再開し、石英ガラス板を試料台から除去して試料の処理を再開することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 14/56 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマによる成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-186293 Applicant：日新電機株式会社
半導体膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-318090 Applicant：キヤノン株式会社
表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-181744 Applicant：川崎製鉄株式会社

Show all

Return to Previous Page