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J-GLOBAL ID：200903048643094205

GaN系素子及びその製造方法

Inventor：
柴田 直樹

About 柴田 直樹


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996357038
Publication number (International publication number)：1998190061
Application date： Dec. 25, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 n型の半導体層を表出させるためのエッチング工程を必要とせず、n電極とp電極とで素子構造を挟むことができる新規なGaN系素子を提供する。【解決手段】 導電性の基板と、この導電性の基板の上に成膜時には単結晶とならないバッファ層を形成し、このバッファ層の上にGaN系の化合物半導体からなる素子構造を形成する。
Claim (excerpt)：
導電性の基板と、該基板の上に形成され、その成膜時に単結晶でないバッファ層と、該バッファ層の上に成長されるGaN系化合物半導体からなる構造と、を備えてなるGaN系素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (5)
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