スケーラブルなジルコン酸チタン酸鉛(PZT)薄膜材料及び堆積方法、及びそのような薄膜材料を含む強誘電体記憶装置構造

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000600296
Publication number (International publication number)：2003517703
Application date： Feb. 18, 2000
Publication date： May. 27, 2003
Summary：

【要約】新規のジルコン酸チタン酸鉛であり、独自の特性と薄膜材料を用いるPZT薄膜コンデンサ及び強誘電体コンデンサ構造、例えばFeRAMsの適用とを有する。PZT材料はスケーラブルである。つまり、その寸法、パルス長はスケーラブルであり、及び/又は、電場もその特性においてスケーラブルである。PZT材料は、広範囲の厚さの(例えば、約20ナノメートルから約150ナノメートルまで、側方寸法(lateral dimsnsions)の範囲は0.15μmの低さまで伸長する)強誘電体コンデンサに関して役立つ。好適実施例において、対応するコンデンサ域(つまり、側方スケーリング)は、約104から約10-2μm2の範囲内である。本発明のスケーラブルなPZT材料は、アクセプタドーピング又は薄膜改質剤(例えば、Nb、Ta、La、Sr、Ca等)の使用等のPZT薄膜改質技術なしにリキッドデリバリーMOCVDにより形成されてもよい。

Claim (excerpt)：

寸法、パルス長がスケーラブルであり、及び/又は、電界もスケーラブルである特性を有する強誘電体PZT材料。

IPC (8)：

H01B 3/12 301 , C23C 16/40 , H01B 3/00 , H01G 4/12 409 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/105

FI (8)：

H01B 3/12 301 , C23C 16/40 , H01B 3/00 H , H01G 4/12 409 , H01L 21/316 X , H01L 27/10 444 C , H01L 21/90 K , H01L 21/88 A

F-Term (66)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA01 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5E001AB03 , 5E001AH03 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH19 , 5F033HH22 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033KK07 , 5F033KK32 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033PP22 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS01 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033WW08 , 5F033WW09 , 5F033XX03 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF06 , 5F058BH03 , 5F083FR01 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083GA30 , 5F083JA15 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083PR21 , 5F083ZA20 , 5G303AA01 , 5G303AA10 , 5G303AB05 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB25 , 5G303CB35 , 5G303CB39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

金属複合酸化物膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-253240 Applicant：日本酸素株式会社
薄膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283723 Applicant：沖電気工業株式会社
誘電体キャパシタの製造方法および半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-034815 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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