不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996283868
Publication number (International publication number)：1997213086
Application date： Oct. 25, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】消費電力が少なく、動作速度が速く、回路規模の小さなフラッシュEEPROMを提供する。【解決手段】ビット消去モードにおいて、共通ソース線SLとビット線BLnの電位はグランドレベルにされ、ビット線BLmには+5Vが供給される。ワード線WLmには+15Vが供給され、ワード線WLnの電位はグランドレベルにされる。メモリセル1cについては消去動作が行われる。メモリセル1aについては、フローティングゲートFG中の電子はコントロールゲートCG側へ引き抜かれず、消去動作は行われない。メモリセル1dについても消去動作は行われない。メモリセル1bについては、チャネルCHがオフしているため、書き込み動作も消去動作も行われない。

Claim (excerpt)：

フローティングゲートの電位をメモリセル毎に制御することで、任意のメモリセルに対してだけ消去動作を行う不揮発性半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149539 Applicant：富士通株式会社
特開平4-255996
不揮発性半導体記憶装置及びその使用方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-122013 Applicant：新日本製鐵株式会社

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