正方晶系構造のジルコニウム酸化膜形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 松本公雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006180955
Publication number (International publication number)：2007281407
Application date： Jun. 30, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：

【課題】高誘電率及び高温で安定な正方晶系構造のジルコニウム酸化膜の形成方法及びその膜を備えたキャパシタの製造方法を提供すること。【解決手段】基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する単位サイクルを繰り返し行うか、又は、単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に実施する第1サイクルと、前記酸化剤の注入(EXTRA_O3)及びパージを連続的に実施する第2サイクルからなる単位サイクルを繰り返し行い、正方晶系のジルコニウム酸化膜を基板上に形成する製造方法であって、単原子蒸着工程の際、基板温度と、酸化剤の濃度及び酸化剤の露出条件とを調節する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板を配置した単原子蒸着用チャンバー内において、ジルコニウムソースの注入、パージ、酸化剤の注入及びパージを連続的に1回実施する単位サイクルを繰り返し行いながら、正方晶系の結晶構造が前記基板上に形成されるように、前記基板の温度及び前記酸化剤の濃度を調節することを特徴とするジルコニウム酸化膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3)：

H01L21/316 X , H01L27/10 651 , H01L27/04 C

F-Term (26)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BH03 , 5F058BJ04 , 5F083AD14 , 5F083AD24 , 5F083GA29 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083PR33 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-051773 Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
ジルコニウム酸化膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-195041 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-178930 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Lacal epitaxial growth of ZrO2 on Ge(100) substrates by atomic layer epitaxy

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