回路基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997134707
Publication number (International publication number)：1998326949
Application date： May. 26, 1997
Publication date： Dec. 08, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヒートサイクルに対する耐久性が高く、金属回路パターンの微細化を実現させた回路基板を生産性よく製造すること。【解決手段】活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mmであり、しかもその最短間隔における150°Cの絶縁抵抗が1×1011Ω・cm以上であることを特徴とする回路基板。活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mm、金属回路の下端部からのはみ出し接合層の長さが-50μm(内側に50μm)〜+30μm(外側に30μm)、及び金属回路の下端部と上端部との寸法差が50〜100μmであることを特徴とする回路基板。

Claim (excerpt)：

活性金属を含む接合層を、金属回路の下端部から内側及び/又は外側にはみ出させて金属回路がセラミックス基板に接合されてなるものであって、金属回路同士間、接合層同士間及び金属回路と接合層との間の間隔のうち最短間隔が0.5〜1.0mmであり、しかもその最短間隔における150°Cの絶縁抵抗が1×1011Ω・cm以上であることを特徴とする回路基板。

IPC (3)：

H05K 1/02 , H01L 23/12 , H05K 3/20

FI (3)：

H05K 1/02 J , H05K 3/20 Z , H01L 23/12 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-261669
窒化アルミニウム基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081538 Applicant：昭和電工株式会社
パワー回路用配線基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-225494 Applicant：松下電器産業株式会社

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