電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置及びその検出方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：家入健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007058219
Publication number (International publication number)：2008218957
Application date： Mar. 08, 2007
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：

【課題】従来、サンプル中における電荷分布の変化自体を直接的に観察することはできなかった。【解決手段】電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置100であって、ペンタセンFET50に基本波を照射する照射部1と、ペンタセンFET50における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部15と、第1信号に基づき前記照射部よりペンタセンFET50に前記基本波を照射させ、第2信号に基づきペンタセンFET50に電圧を印加する制御信号出力部30と、を備え、制御信号出力部30は、前記第1信号の出力時点と前記第2信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

観察対象物に設けられた電極間における電界分布又はキャリア分布を高次高調波の強度に基づいて検出する検出装置であって、前記観察対象物に基本波を照射する照射部と、前記観察対象物における電圧印加時の電界分布又はキャリア分布に応じて生成された前記高次高調波を検出する検出部と、第1信号に基づき前記照射部より前記観察対象物に前記基本波を照射させ、第2信号に基づき前記観察対象物に電圧を印加する制御信号出力部と、を備え、前記制御信号出力部は、前記第1信号の出力時点と前記第2信号の出力時点との間の時間間隔を変更可能に構成される、検出装置。

IPC (3)：

H01L 21/66 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (4)：

H01L21/66 L , H01L29/78 618B , H01L29/78 624 , H01L29/28 100A

F-Term (18)：

4M106AA01 , 4M106AA10 , 4M106AB01 , 4M106BA05 , 4M106BA14 , 4M106CB30 , 4M106DH18 , 4M106DH32 , 5F110AA24 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110EE02 , 5F110EE07 , 5F110FF02 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110HK02 , 5F110HK07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

高移動度測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-323199 Applicant：国立大学法人北海道大学, 分光計器株式会社
電位測定方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-102050 Applicant：日本電気株式会社
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-256713 Applicant：国立大学法人東京工業大学

Cited by examiner (2)

電位測定方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-102050 Applicant：日本電気株式会社
有機半導体電界効果トランジスタの評価装置及び特性測定方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-256713 Applicant：国立大学法人東京工業大学

Article cited by the Patent：

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