窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005183111
Publication number (International publication number)：2007005526
Application date： Jun. 23, 2005
Publication date： Jan. 11, 2007
Summary：

【課題】半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する【解決手段】窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶の表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶の表面層の均一歪みが2.1×10-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶の表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶の表面層の均一歪みが2.1×10-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。

IPC (3)：

H01L 33/00 , G01N 23/20 , H01L 21/66

FI (3)：

H01L33/00 C , G01N23/20 , H01L21/66 K

F-Term (17)：

2G001AA01 , 2G001BA18 , 2G001CA01 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 4M106AA01 , 4M106CA24 , 4M106CA47 , 4M106DH34 , 4M106DH60 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-100373 Applicant：ロデール・ニッタ株式会社, 住友電気工業株式会社
米国特許第6596079号明細書
米国特許第6488767号明細書

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Cited by examiner (3)

単結晶表面層の評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-220073 Applicant：伊藤進夫, 住友電気工業株式会社
高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-503865 Applicant：アドバンストテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
セラミツクス部材の残留応力測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-246124 Applicant：株式会社東芝

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