薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995311442
Publication number (International publication number)：1996330599
Application date： Nov. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】チャンネル層となる半導体薄膜のエッジ部をテーパ加工してゲート電極の断線を防止しつつ薄膜トランジスタのサブスレッショルド特性の低下を回避できる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】絶縁性基板9上に形成したpoly-Si膜1にチャンネル部1aとソース部1bとドレイン部1cとを形成し、前記チャンネル部1a上にゲート絶縁膜2を介してゲート電極3を形成して成る薄膜トランジスタであり、前記poly-Si1の少なくともチャンネル部1aのエッジ部に絶縁性傾斜部を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成した半導体薄膜にチャンネル部とソース部とドレイン部とを形成し、前記チャンネル部上に絶縁膜を介してゲート電極を形成して成る薄膜トランジスタにおいて、前記半導体薄膜の少なくともチャンネル部のエッジ部に絶縁性傾斜部又は高抵抗傾斜部が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 618 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343943 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-163378 Applicant：富士ゼロックス株式会社
半導体相変化モニタ方法及びこれを用いた半導体結晶化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-030562 Applicant：ソニー株式会社

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