Pat

J-GLOBAL ID：200903016379994759

抵抗変化素子とその作製方法

Inventor： 吉井 重雄 ,  山下 一郎
Applicant, Patent owner： パナソニック株式会社
Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007232327
Publication number (International publication number)：2009065003
Application date： Sep. 07, 2007
Publication date： Mar. 26, 2009
Summary：

【課題】単純かつ容易な工程で実現できる電流経路を備え、微細化可能な抵抗変化素子を提供する。【解決手段】第1電極203上に、トンネル絶縁膜204と、金属ナノ粒子206と、抵抗変化膜207と、第2電極208を備えることにより、金属ナノ粒子の配置位置に微細な電流経路を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、前記第1電極上に形成されたトンネル障壁層と、前記トンネル障壁層上に配置された直径2nm以上10nm以下の金属ナノ粒子と、前記トンネル障壁層上および前記金属ナノ粒子上に形成された、印加電圧に応じて抵抗が変化する抵抗変化層と、前記抵抗変化層上に形成された第2電極を備えた抵抗変化素子。

IPC (4)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 29/06

FI (4)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  H01L29/06 601N

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 国際公開第2005/041303号パンフレット
  
• 不揮発性メモリ抵抗体セル及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-361983   Applicant：シャープ株式会社
• 可変抵抗素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-125432   Applicant：シャープ株式会社
• 抵抗変化型記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-375255   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-020629   Applicant：松下電器産業株式会社