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J-GLOBAL ID:200903016431561530
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999216796
Publication number (International publication number):2001044276
Application date: Jul. 30, 1999
Publication date: Feb. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】 チップ本体領域に形成される所定のトランジスタとこれに対応してスクライブライン領域に形成される1PC-TEG用のトランジスタとが同一の特性を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 スクライブライン領域12に、1PC-TEG形成用のアクティブ領域22bが周囲を複数の幅の狭いトレンチ20bに囲まれて配置され、その余のスクライブライン領域12には複数の幅の狭いダミートレンチ20cが形成され、多数の長方形のダミーアクティブ領域22cが島状に設けられている。このために、このスクライブライン領域12におけるアクティブ面積率は、チップ本体領域10の回路形成領域16におけるアクティブ面積率と略等しくなっている。
Claim (excerpt):
集積回路を形成するチップ本体領域と、前記チップ本体領域を区画するスクライブライン領域とを有し、前記チップ本体領域のアクティブ領域が複数のトレンチによって絶縁分離されており、前記スクライブライン領域にテスト素子形成用アクティブ領域が設けられている半導体装置であって、前記スクライブライン領域の前記テスト素子形成用アクティブ領域の周辺部に、複数のダミートレンチが形成され、前記複数のダミートレンチによってダミーアクティブ領域が複数の島状に分離されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 21/76 N
, H01L 21/78 L
F-Term (7):
5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA77
, 5F032BA01
, 5F032BA08
, 5F032DA78
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにその設計方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-170805
Applicant:株式会社日立製作所
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半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに設計方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-033388
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体集積回路装置およびその設計方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-329379
Applicant:株式会社日立製作所
-
半導体装置の素子分離方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-225456
Applicant:三星電子株式会社
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半導体素子の素子分離方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-302981
Applicant:三星電子株式会社
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特開平1-109741
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