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J-GLOBAL ID:200903016587192615

酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲 ,  三上 敬史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007296984
Publication number (International publication number):2009123957
Application date: Nov. 15, 2007
Publication date: Jun. 04, 2009
Summary:
【課題】 実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。【解決手段】 この酸化物半導体材料の製造方法では、Zn及びSnを含有する酸化物ターゲットを用意し、基板をチャンバ内に配置し、酸化物ターゲットをチャンバ内に配置する。酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。この酸化物半導体材料は、Inを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満となるようにする。スパッタ時においては、酸化物ターゲットと同時にスパッタされる位置に、ドーパント材料を更に配置することが好ましい。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
酸化物半導体材料であって、 Zn及びSnを含有し、 Inを含有せず、且つ、 電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満である、 ことを特徴とする酸化物半導体材料。
IPC (4):
H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/08
FI (5):
H01L29/78 618B ,  H01L21/363 ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 618A ,  C23C14/08 K
F-Term (37):
4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL07 ,  5F103NN01 ,  5F103PP11 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21
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Cited by applicant (4)
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