酸化物半導体材料及びその製造方法、電子デバイス及び電界効果トランジスタ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：長谷川芳樹 , 清水義憲 , 三上敬史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007296984
Publication number (International publication number)：2009123957
Application date： Nov. 15, 2007
Publication date： Jun. 04, 2009
Summary：

【課題】実用に耐え得る酸化物半導体材料、これを用いた電界効果トランジスタ等の電子デバイス、及び酸化物半導体材料の製造方法を提供する。【解決手段】この酸化物半導体材料の製造方法では、Zn及びSnを含有する酸化物ターゲットを用意し、基板をチャンバ内に配置し、酸化物ターゲットをチャンバ内に配置する。酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。この酸化物半導体材料は、Inを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満となるようにする。スパッタ時においては、酸化物ターゲットと同時にスパッタされる位置に、ドーパント材料を更に配置することが好ましい。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

酸化物半導体材料であって、 Zn及びSnを含有し、 Inを含有せず、且つ、電子キャリア濃度が1×1015/cm3より大きく1×1018/cm3未満である、ことを特徴とする酸化物半導体材料。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/363 , H01L 21/336 , C23C 14/08

FI (5)：

H01L29/78 618B , H01L21/363 , H01L29/78 618F , H01L29/78 618A , C23C14/08 K

F-Term (37)：

4K029AA09 , 4K029BA50 , 4K029BB10 , 4K029BD01 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC35 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG03 , 5F103HH04 , 5F103KK01 , 5F103KK10 , 5F103LL07 , 5F103NN01 , 5F103PP11 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE08 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208948 Applicant：ホーヤ株式会社
非晶質酸化物を利用した半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-325370 Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Electrical and optical properties of Al-doped ZnO-SnO2 thin films deposited by RF magnetron sputteri

Return to Previous Page