三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：古谷聡 , 溝部孝彦 , 西山清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006521845
Publication number (International publication number)：2006528843
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

ソース電極(20、82)と、ドレイン電極(22、84)と、ソース電極(20、82)及びドレイン電極(22、84)に結合されているチャネル(18、92)とを備えている半導体デバイス。チャネル(18、92)は、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されている。半導体デバイスはさらに、チャネル(18、92)に電界をかけることができるように構成されているゲート電極(12、80)を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ソース電極(20、82)と、ドレイン電極(22、84)と、前記ソース電極(82)及び前記ドレイン電極(84)に結合され、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されているチャネル(18、92)と、前記チャネル(18、92)に電界を適用することができるように構成されているゲート電極(12、80)とを備えている半導体デバイス。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (16)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110HK07 , 5F110HK33 , 5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-274333 Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208948 Applicant：ホーヤ株式会社
基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-196560 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

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