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J-GLOBAL ID：200903049550143814

三元化合物チャネル層を有する半導体デバイス

Inventor： ホフマン,ランディ ,  チャン,ハイ ,  ウェイガー,ジョン
Applicant, Patent owner： ヒューレット-パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. ,  ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
Agent (3)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006521845
Publication number (International publication number)：2006528843
Application date： Jun. 25, 2004
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：

ソース電極(20、82)と、ドレイン電極(22、84)と、ソース電極(20、82)及びドレイン電極(22、84)に結合されているチャネル(18、92)とを備えている半導体デバイス。チャネル(18、92)は、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されている。半導体デバイスはさらに、チャネル(18、92)に電界をかけることができるように構成されているゲート電極(12、80)を備えている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ソース電極(20、82)と、 ドレイン電極(22、84)と、 前記ソース電極(82)及び前記ドレイン電極(84)に結合され、亜鉛及びスズ、酸素を含む三元化合物から構成されているチャネル(18、92)と、 前記チャネル(18、92)に電界を適用することができるように構成されているゲート電極(12、80)とを備えている半導体デバイス。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (1)：

H01L29/78 618B

F-Term (16)：

5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-274333   Applicant：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社
• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社
• 基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-196560   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-508258   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-086175   Applicant：ミノルタ株式会社
• 半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-030000   Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Influence of substrate temperature on the electrical behaviour of zinc stannate thin films deposited
• Growth and characterization of radio frequency magnetron sputter-deposited zinc stannate, Zn2SnO4, t
• THE ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF THE ZNO-SNO2 THIN-FILMS PREPARED BY RF MAGNETRON SPUTTERING