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J-GLOBAL ID：200903016653705904

半導体装置の製造方法および製造装置

Inventor：
矢野 敏彦

About 矢野 敏彦

, 
村上 太佳之

About 村上 太佳之

, 
小嵐 輝央

About 小嵐 輝央


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 宮井 暎夫 ,  伊藤 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003004669
Publication number (International publication number)：2004221190
Application date： Jan. 10, 2003
Publication date： Aug. 05, 2004
Summary：
【課題】TiN-CVD成膜装置の、ウエハが設置される下部電極の側壁部分に付着した膜剥がれを防止し、膜剥がれにより発生するパーティクルを抑制して、半導体デバイスの歩留まり低下を防止する。【解決手段】下部電極上にウエハを設置して所定の温度の加熱し、有機金属材料ガスからTiN膜を堆積する。この膜はCを含み下部電極側壁にも付着する。膜からCを除去するためにN2/H2プラズマ処理をするが下部電極はウエハより小さいので電極側壁の膜のプラズマ処理がなされない。そこで、膜形成後のウエハを除去した後、ウエハが無い状態でN2/H2プラズマ処理を施す(ステップS7)。このステップで下部電極側壁に付着した膜がプラズマ処理されて密着性が増し、膜剥がれを防止できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
減圧可能なチャンバー内に設けられた基板支持部に基板を設置する工程と、 炭素を含む金属材料ガスから化学的気相成長法を用いて前記基板に金属を一成分とする膜を堆積する工程と、 水素を含むガスプラズマで前記金属を一成分とする膜を処理する工程と、 前記基板を前記基板支持部から前記チャンバーの外部へ取り出した後、前記水素を含むガスプラズマで前記チャンバー内部を処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56
FI (5)：
H01L21/285 C ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/56
F-Term (23)：
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA03 ,  4K030KA26 ,  4K030KA45 ,  4K030KA46 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 薄膜のプラズマアニール
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-356529   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-239278   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-000487   Applicant：国際電気株式会社
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