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J-GLOBAL ID：200903016716211281

炭化珪素半導体装置およびその製造方法

Inventor：
竹内 有一

About 竹内 有一

, 
丸汎ラジェシュ クマール

About 丸汎ラジェシュ クマール


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008151370
Publication number (International publication number)：2009302091
Application date： Jun. 10, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：
【課題】L負荷サージ耐量があり、かつ、破壊電界強度もあるSiC半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ディープp型層6を形成するためのトレンチ5を中央領域R1aと接続領域R1bとで幅を変える。具体的には、中央領域R1aのトレンチ5aの方が接続領域R1bのトレンチ5bよりも幅が広くなるようにする。そして、低濃度となる第1層6aと高濃度となる第2層6bを順に形成すると、第1層6aは幅の狭いトレンチ5b側において厚くなり、幅の広いトレンチ5a側において薄くなる。このため、ディープp型層6のうち高濃度となる第2層6bの深さが接続領域R1bよりも中央領域R1aの方が深い構造となる。これにより、耐圧構造領域R2に接していない中央領域R1aの耐圧BV(R1a)が他の領域と比べて最も低くなり、ここでブレークダウンさせられる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
炭化珪素からなる第1導電型または第2導電型の基板(1、31)と、 前記基板(1、31)の表面に形成された炭化珪素からなる第1導電型のドリフト層(2、32)と、を有し、 前記基板(1、31)内のセル領域(R1)において前記基板(1、31)の表面側に形成された表面電極(11、34)と裏面側に形成された裏面電極(13、35)との間で電流を流す縦型構造の半導体素子が形成されていると共に、前記セル領域(R1)の外周を囲むように耐圧構造領域(R2)が形成されてなる炭化珪素半導体装置において、 前記セル領域(R1)における中央領域(R1a)と、該中央領域(R1a)を囲むように構成されていると共に、前記中央領域(R1a)と前記耐圧構造領域(R2)の間を接続するように配置された接続領域(R1b)の双方に、前記ドリフト層(2、32)に達する第2導電型のディープ層(6)が備えられ、該ディープ層(6)により前記中央領域(R1a)の耐圧(BV(R1a))の方が前記接続領域(R1b)における耐圧(BV(R1b))よりも低く、かつ、前記接続領域(R1b)における耐圧(BV(R1b))の方が前記耐圧構造領域(R2)における耐圧(BV(R2))よりも低くされていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06
FI (3)：
H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652P
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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