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J-GLOBAL ID：200903016736980800

高アスペクト比構造の分離方法

Inventor： カウピネン エスコ ,  ゴンザレス デイヴィッド ,  ナシブリン アルバート ,  ブラウン デイヴィッド
Applicant, Patent owner： カナトゥ オイ
Agent (2)： 正林 真之 ,  林 一好
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008557777
Publication number (International publication number)：2009533227
Application date： Mar. 07, 2007
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：

【課題】HARM構造を切り離す新規な方法の提供。合成材料の利用効率及び製品収率の改善、プロセスの間におけるHARM構造の分解の減少若しくは抑止、束を形成したHARM構造と単離状のHARM構造の分離、並びに、工業的及び商業的に有益である多種多様な基材上への、均一若しくはパターン化された堆積物の低温での形成のための方法の提供。【解決手段】HARMSを移動させる方法であって、1つ以上の束状及び単離状のHARM構造を含んでなる分散物に対して力を印加するステップを含んでなり、当該力が、1つ以上の物理学的な性質及び特性に基づいて、束状の及び/又は単離状のHARM構造を移動させ、当該束状の及び単離状のHAEM-構造を各々実質的に分離させる、前記方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

高アスペクト比分子構造(HARMS)を移動させる方法であって、1つ以上の束状及び単離状のHARM構造を含んでなる分散物に対して力を印加するステップを含んでなり、当該力の印加により、1つ以上の物理学的な性質及び特性に基づいて、束状及び/又は単離状のHARM構造が移動し、当該束状及び単離状のHAEM-構造が各々実質的に分離される、前記方法。

IPC (3)：

B82B 3/00 ,  C01B 31/02 ,  B01J 19/00

FI (3)：

B82B3/00 ,  C01B31/02 101F ,  B01J19/00 Z

F-Term (25)：

4G075AA01 ,  4G075AA27 ,  4G075CA12 ,  4G075CA22 ,  4G075CA42 ,  4G146AA11 ,  4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AB08 ,  4G146AC19A ,  4G146AC19B ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD29 ,  4G146AD40 ,  4G146BA08 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC06 ,  4G146BC09 ,  4G146BC18 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC44

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• ナノチューブの精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-337178   Applicant：松下電器産業株式会社
• 単層カーボンナノチューブを分離する方法及びその組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-582076   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• カーボンナノチューブの巨視的に配置された集成体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-533054   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• 高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178424   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• カーボン・ナノチューブの精製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-014387   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (5)

• 単層カーボンナノチューブを分離する方法及びその組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-582076   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• ナノチューブの精製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-337178   Applicant：松下電器産業株式会社
• カーボンナノチューブの巨視的に配置された集成体
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-533054   Applicant：ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ
• 高純度ナノスケールカーボンチューブ含有炭素質材料の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-178424   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• カーボン・ナノチューブの精製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-014387   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Floating-Potential Dielectrophoresis-Controlled Fabrication of Single-Carbon-NanotubeTransistors and
• "Separation of Metallic fromSemiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes"

Cited by examiner (2)

• Floating-Potential Dielectrophoresis-Controlled Fabrication of Single-Carbon-NanotubeTransistors and
• "Separation of Metallic fromSemiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes"