高硬度高密着性DLC膜の成膜方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：関正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998326218
Publication number (International publication number)：2000144426
Application date： Nov. 17, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】被コーティング物の表面に密着性の良い高硬度膜を高速に形成する方法を提供する。【解決手段】被コーティング物を収容した真空容器に炭素を含有する第1原料ガスとシリコンを含有する第2原料ガスを導入し、電子ビームガンからの加速された電子ビームを照射して電離解離することにより第1と第2の原料ガスの電子ビーム励起プラズマを生成し、さらに被コーティング物に負のバイアス電圧を印加することにより、被コーティング物の表面にシリコン含有ダイヤモンドライク炭素(DLC)膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

被コーティング物を収容した真空容器に炭素を含有する第1原料ガスとシリコンを含有する第2原料ガスを導入し、電子ビームガンにより加速した電子ビームを照射して前記第1と第2の原料ガスを電離解離することにより電子ビーム励起プラズマを生成し、前記被コーティング物に負のバイアス電圧を印加することにより、シリコン含有ダイヤモンドライク炭素(DLC)膜を前記被コーティング物の表面に成膜する成膜工程を有することを特徴とする高硬度高密着性DLC膜の成膜方法。

F-Term (7)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030BA28 , 4K030BA29 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030JA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電子ビーム励起プラズマCVDによる炭素系高機能材料薄膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-088964 Applicant：川崎重工業株式会社
特開平3-240957
ダイヤモンド状炭素膜およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-018049 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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