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J-GLOBAL ID:200903016899897764
フッ化フラーレン重合体、フッ化フラーレン重合体膜、フッ化フラーレン重合体含有媒体、及びこれらの製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
逢坂 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995354116
Publication number (International publication number):1997188506
Application date: Dec. 29, 1995
Publication date: Jul. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 優れた機械的強度を示し、静電気を帯電させず、しかも潤滑性を備え、成膜性も良好であり、工業的に応用範囲の広い材料として有用なフラーレン重合体と、フラーレン重合体膜、更にはフラーレン重合体含有媒体、及びこれらの効率的な製造方法を提供すること。【解決手段】 一般式A:Cn Fm で表される球状炭素類の少なくとも1種の重合体であって、一般式I:(Cn Fm )x で表されるフッ化フラーレン重合体又はその膜、及び、これをフッ素系ガスプラズマ中でのフラーレン重合或いは重合後のフッ素系ガスプラズマでの処理により製造する方法。
Claim (excerpt):
一般式A:Cn Fm(但し、この一般式Aにおいて、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数、mは最大でnである整数を示す。)なる分子式で表される球状炭素類の少なくとも1種の重合体であって、一般式I:(Cn Fm ) x(但し、この一般式Iにおいて、n及びmは前記したものと同じ、xは整数を示す。)なる分子式で表されるフッ化フラーレン重合体。
IPC (5):
C01B 31/02 101
, C10M103/02
, G11B 5/72
, H01L 21/314
, C23C 30/00
FI (5):
C01B 31/02 101 Z
, C10M103/02 A
, G11B 5/72
, H01L 21/314 A
, C23C 30/00 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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有機半導性薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-216773
Applicant:ソニー株式会社
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磁気記録媒体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-063601
Applicant:株式会社日立製作所
-
フッ素化フラーレンの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-200212
Applicant:出光興産株式会社
-
水蒸気センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-216771
Applicant:ソニー株式会社
-
フッ化炭素の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-100693
Applicant:大阪瓦斯株式会社
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Cited by examiner (3)
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有機半導性薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-216773
Applicant:ソニー株式会社
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磁気記録媒体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-063601
Applicant:株式会社日立製作所
-
フッ素化フラーレンの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-200212
Applicant:出光興産株式会社
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