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J-GLOBAL ID：200903017095215438

レーザダイオード及びその製造方法

Inventor：
張 峻豪

About 張 峻豪

, 
成 康鉉

About 成 康鉉


Applicant, Patent owner：
エルジー電子株式会社

About エルジー電子株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998187765
Publication number (International publication number)：1999074609
Application date： Jul. 02, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 光特性及び電流特性を向上させるレーザダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 レーザダイオードは、第1導電型の基板上に順次に形成される第1導電型のクラッド層、活性層、第2導電型の第1クラッド層、エッチストップ層と、前記エッチストップ層上の所定領域に一定の幅に側面が垂直な形態に形成される第2導電型の第2クラッド層と、第2導電型の第2クラッド層上に第2導電型の第2クラッド層と同じ幅に形成される第2導電型のInGaP層と、第2導電型の第2クラッド層の両側面に形成される電流遮断層と、前記電流遮断層及び第2導電型のInGaP層上に形成される電流導通層と、前記基板の下部及び電流導通層の上部に形成される電極とを備える。
Claim (excerpt)：
第1導電型の基板上に形成される第1導電型のクラッド層と、前記第1導電型のクラッド層上に形成される活性層と、前記活性層上に形成される第2導電型の第1クラッド層と、前記第2導電型の第1クラッド層上に形成されるエッチストップ層と、前記エッチストップ層上の所定領域に一定の幅に側面が垂直な形態に形成される第2導電型の第2クラッド層と、前記第2導電型の第2クラッド層上に第2導電型の第2クラッド層と同じ幅に形成される第2導電型のInGaP層と、前記第2導電型の第2クラッド層の両側面に形成される電流遮断層と、前記電流遮断層及び第2導電型のInGaP層上に形成される電流導通層と、前記基板の下部及び電流導通層の上部に形成される電極とを備えることを特徴とするレーザダイオード。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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