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J-GLOBAL ID：200903017286068575

半導体装置

Inventor： 斎藤 真司 ,  小野村 正明 ,  西川 幸江 ,  ピーター・パーブルック ,  石川 正行
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059153
Publication number (International publication number)：1996330677
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】本発明は、ヘテロ界面における障壁を低減することにより、同界面でのキャリアの注入を容易にし、低電圧動作が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体からなる第1の半導体層101と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体が属する族とは異なる族の第2の半導体より成る第2の半導体層103と、前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層との間に形成された第3の半導体層102とを具備し、前記第3の半導体層は、前記第1の半導体と同一の族の第3の半導体からなり、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層と、前記第2の半導体と同一の族の第4の半導体から成り、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層との内の1つであることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体が属する族とは異なる族の第2の半導体より成る第2の半導体層と、前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層との間に形成された第3の半導体層とを具備し、前記第3の半導体層は、前記第1の半導体と同一の族の第3の半導体からなり、前記第1の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層と、前記第2の半導体と同一の族の第4の半導体から成り、前記第2の半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する層との内の1つであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316266   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-016258   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-232366   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038160   Applicant：株式会社東芝
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-136945   Applicant：松下電子工業株式会社