相変化膜を含む半導体素子の形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009064419
Publication number (International publication number)：2009224787
Application date： Mar. 17, 2009
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：

【課題】相変化膜を含む半導体素子の形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、開口部を有する基板上に相変化膜を蒸着する段階と、熱処理工程によって開口部の外部に位置した相変化膜の一部が開口部の内に移動される段階とを含む。この際、相変化膜は、熱処理工程の工程温度を相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含む。熱処理工程は、相変化膜の熔融点より低い工程温度を含む。また、特定元素の熔融点は、相変化膜の熔融点より低く、熱処理工程の工程温度は、特定元素の熔融点と同一、または特定元素の熔融点より高い。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜内に開口部を形成する段階と、前記開口部を有する基板上に相変化膜を蒸着する段階と、熱処理工程によって前記開口部の外部に位置した前記相変化膜の一部が前記開口部内に移動する段階と、を含み、前記相変化膜は、前記熱処理工程の工程温度を前記相変化膜の熔融点より低くする特定元素を含み、前記熱処理工程は、前記相変化膜の熔融点より低い工程温度を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。

IPC (2)：

H01L 45/00 , H01L 27/105

FI (2)：

H01L45/00 A , H01L27/10 448

F-Term (9)：

5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083PR21 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ビア構造体の形成方法及びこのようなビア構造体を合併させた相変化記憶素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-240283 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-088528 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
金属配線連結方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-130294 Applicant：三星電子株式会社

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