逐次露光方法および逐次露光用マスク

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：渡辺望稔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999318330
Publication number (International publication number)：2001135569
Application date： Nov. 09, 1999
Publication date： May. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体ウェハ上に数点のTEG領域のみを形成した場合にも、均一なステップピッチのショットレイアウトにすることができる逐次露光方法、および、この逐次露光方法で用いられる逐次露光用マスクを提供する。【解決手段】半導体装置基板上に、デバイス領域のみを有する第1の露光領域を1回の露光で形成する第1の工程を、複数回行うと共に、半導体装置基板上に、デバイス領域の一部とTEG領域との両方を有する第2の露光領域を1回もしくはそれ以上の回数の露光で形成する第2の工程を、少なくとも1回行い、複数の第1の露光領域と少なくとも1個の第2の露光領域とを、半導体装置基板上に縦および横方向に一定ピッチで配置することにより、上記課題を解決する。

Claim (excerpt)：

半導体装置製造のための逐次露光方法であって、半導体装置基板上に、デバイス領域のみを有する第1の露光領域を1回の露光で形成する第1の工程を、複数回行うと共に、前記半導体装置基板上に、前記デバイス領域の一部とTEG領域との両方を有する第2の露光領域を1回もしくはそれ以上の回数の露光で形成する第2の工程を、少なくとも1回行い、複数の該第1の露光領域と少なくとも1個の該第2の露光領域とを、前記半導体装置基板上に縦および横方向に一定ピッチで配置することを特徴とする逐次露光方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/22

FI (4)：

G03F 1/08 A , G03F 7/22 H , H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 502 P

F-Term (5)：

2H095BA02 , 2H095BC09 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046DD03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開昭61-030032
フォトマスクおよび半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-082199 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置の製造方法及びレチクル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-207897 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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特開昭61-030032
フォトマスクおよび半導体装置製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-082199 Applicant：セイコーエプソン株式会社
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