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J-GLOBAL ID：200903017341763946

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法

Inventor： 黒田 尚孝 ,  笹岡 千秋 ,  倉本 大 ,  木村 明隆
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002072692
Publication number (International publication number)：2003273469
Application date： Mar. 15, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】III族窒化物半導体素子におけるヘテロ界面のp型不純物プロファイルを高度に制御し、所望の素子性能を安定的に実現する層構造を提供する。【解決手段】p-GaN光ガイド層901上に開口部を有するSiO<SB>2</SB>マスク902を形成し、その開口部からp-AlGaNクラッド層903を成長させ、さらにその上にp-GaNコンタクト層904が形成する。p-AlGaNクラッド層903は、SiO<SB>2</SB>マスク902開口部から縦方向および横方向に成長することによってリッジ形状をなす。この層構成において、界面1のヘテロ界面近傍のp型不純物密度を以下のように規定する。すなわち、界面1から上方0.1μmにわたるp-GaNコンタクト層904中の領域におけるp型不純物密度をN<SB></SB><SB>1</SB>、上記界面1から上方0.01μmにわたるp-GaNコンタクト層904中の領域におけるp型不純物密度をN<SB>2</SB>としたときにN<SB>1</SB><N<SB>2</SB>、好ましくは1.5×N<SB>1</SB><N<SB>2</SB><20×N<SB>1</SB>とする。

Claim (excerpt)：

n型またはi型の導電型を有する第一のIII族窒化物半導体層と、該第一のIII族窒化物半導体層上に形成されたp型の導電型を有する第二のIII族窒化物半導体層と、を有し、第一のIII族窒化物半導体層と第二のIII族窒化物半導体層との界面から上方0.1μmにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均p型不純物密度をN<SB>1</SB>、前記界面から上方0.01μmにわたる第二のIII族窒化物半導体層中の領域における平均p型不純物密度をN<SB></SB><SB>2</SB>としたときにN<SB>1</SB><N<SB>2</SB>であることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

F-Term (12)：

5F073AA04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• エピタキシャル層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-119797   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体レーザ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-149103   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311272   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-084836   Applicant：日本電気株式会社
• 窒化物系半導体素子、窒化物系半導体素子の製造方法、GaN基板及びGaN基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-089267   Applicant：三洋電機株式会社