窒化物系半導体素子、窒化物系半導体素子の製造方法、GaN基板及びGaN基板の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999089267
Publication number (International publication number)：2000286446
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】製造歩留まりが良く、量産性に優れた構成の窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】 GaN基板1上に窒化物系の発光素子層9を有する窒化物系半導体素子において、GaN基板1はMgがドーピングされており、そのドーピング量が1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下の範囲であり、且つ前記GaN基板1の厚みが100μm以上であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaN基板上に窒化物系の半導体素子層を有する窒化物系半導体素子において、前記GaN基板はp型のドーパントがドーピングされており、そのドーピング量が1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下の範囲であり、前記GaN基板の厚みが100μm以上であることを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

F-Term (9)：

5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA77 , 5F073CA02 , 5F073CB02 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-037827 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-335580 Applicant：エルジー電子株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-143478 Applicant：株式会社リコー

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